DirectFET Power MOSFET The IRF6614 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF6614  

### **Description:**  
The IRF6614 is a HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching capabilities.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Optimized for fast switching  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load applications  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.