A 40V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT package rated at 150 amperes. The IRF6613TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6613TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6613TR1PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and synchronous rectification circuits.