HEXFET Power MOSFET The IRF6613 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF6613  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Compliant with RoHS standards.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for the most accurate and detailed specifications.)

HEXFET Power MOSFET