A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 136 amperes. The IRF6612TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6612TR1PBF  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 8.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and other switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.