HEXFET Power MOSFET The IRF6612TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF6612TR1  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Optimized for synchronous buck converters and other DC-DC applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.