30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6612 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6612  

### **Description:**  
The IRF6612 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 2.3mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 2.7mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable design for power applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-hole mounting)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in industrial and automotive systems  
- High-current switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package