IRF6611TR1

Leaded A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes. The IRF6611TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **RDS(ON) (Max):** 1.8mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 150 amperes.