A 20V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT package rated at 150 amperes. The IRF6609TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF6609TRPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

A 20V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT package rated at 150 amperes.