A 20V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT package rated at 150 amperes. The IRF6609TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IRF)  

### **Part Number:**  
IRF6609TR1PBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 1.3mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 1.8mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- High-efficiency switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.