20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6609TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF6609TR1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Description:** The IRF6609TR1 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- **Features:**  
  - Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
  - High current handling capability.  
  - Fast switching performance.  
  - Avalanche energy specified for ruggedness.  
  - Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
  - Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6609TR1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **IRF (International Rectifier)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 20A)  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole Package)**  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.