20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6609 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6609  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 19mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge (Q_G) for fast switching performance.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) to minimize conduction losses.  
- Avalanche energy (E_AS) specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6609 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6609  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 90pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF6609 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- Robust and reliable performance  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed application-specific information, refer to the official Infineon datasheet.