Power MOSFET The IRF6607TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about the part:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF6607TR1  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy specified for reliability in harsh conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  
- **HEXFET® Technology:** Provides high power density and efficiency.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6607TR1.