30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6607 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF6607  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  

### **Key Electrical Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  

### **Package & Thermal Data:**
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (R_θJC):** 0.42°C/W  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced reliability in switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF6607.