30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6604 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6604  

### **Description:**  
The IRF6604 is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 75nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** 480mJ  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF6604. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.