30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6603 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about the IRF6603 from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Provides high efficiency in power switching applications.  
- **High Current Handling:** Capable of supporting up to 110A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.