20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6602 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF6602  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 450pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.6J (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads: Gate, Drain, Source)  

### **Features:**  
- Advanced process technology for low on-resistance  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF6602 MOSFET.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package