20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package The IRF6601 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6601  

### **Description:**  
The IRF6601 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 150V  
- **Current Rating (I_D):** 28A (continuous at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 44nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  

### **Package Type:**  
TO-220AB (Through-Hole Mounting)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.