250V N-Channel MOSFET The IRF654B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for medium-power DC-DC converters, motor control, and power management.  
- Features low gate charge and low on-resistance for improved performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Low Gate Drive:** Compatible with standard logic-level drive circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Thermal Resistance:** TO-220 package ensures efficient heat dissipation.  

For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet from Fairchild/ON Semiconductor.