200V N-Channel MOSFET The IRF650B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF650B is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** – Enhances efficiency and reduces power loss.  
- **Avalanche Energy Specified** – Ensures robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability** – Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package** – Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.