250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF644S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Fast switching performance with low on-resistance.  

These details are based on the manufacturer's datasheet.