250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF644N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF644N is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is built using advanced HEXFET® technology, which provides low on-resistance, fast switching, and rugged performance. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified** for improved reliability  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters** for predictable performance  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is available in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  

(Source: International Rectifier/Infineon IRF644N Datasheet)