N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 150V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 16A. The IRF642 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **Company:** International Rectifier (Infineon Technologies)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-220AB (through-hole)  
- **Mounting Style:** Through-Hole  
- **Pin Configuration:** Gate (G), Drain (D), Source (S)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency  

### **Applications:**  
- Power supplies (SMPS)  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- Switching regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.