200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF640STR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF640STR  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package Type:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF640STR is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Current Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF640STR.