200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF640SPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF640SPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 0.15Ω  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4V:** 0.18Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640SPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Ensures low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.