200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF640S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF640S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® power MOSFET series, known for efficient power handling and reliability.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.