200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF640PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF640PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Package:** TO-220AB  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640PBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.15Ω max @ 10V V_GS)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.