200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF640NSTRRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF640NSTRRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**
The IRF640NSTRRPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.15Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.