N-channel power MOSFET for fast switching applications, 200V, 18A The IRF640NSTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640NSTR is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal performance  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.