200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF640NSPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640NSPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low gate charge and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness.  
- **Low On-Resistance:** Improves conduction losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.