200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF640NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640NS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® series, offering low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-262 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.