200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF640NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF640NPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF640NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. Always refer to the latest datasheet for detailed specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package