200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF640NLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 9.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640NLPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-262 (D2PAK) Package:** Optimized for power dissipation and mounting.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF640NLPBF.