200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF640NL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF640NL is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® family, known for efficient power handling and low on-resistance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 63nC (typical at V_DS = 100V, I_D = 18A)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Ensures low conduction losses and high efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Provides reliable performance in high-speed switching.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves switching efficiency.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-frequency power circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.