N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15-Ohm The IRF640N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The IRF640N is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for fast switching and high-efficiency power applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and switching circuits due to its robust performance and reliability.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.15Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the technical specifications provided by the manufacturer.