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IRF640FP from

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IRF640FP

N-CHANNEL 200V

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF640FP 2 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 200V The IRF640FP is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 72A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220FP (Fully Isolated)  

### **Description:**  
The IRF640FP is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.15Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Fully Isolated Package (TO-220FP)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF640FP ST 100 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 200V The IRF640FP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 72A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Package:** TO-220FP (fully insulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Fully insulated TO-220FP package for improved thermal performance and safety.  
- Avalanche ruggedness for reliable operation in harsh conditions.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the IRF640FP.

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