Advanced Power MOSFET The IRF640A is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics). Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF640A is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power management circuits, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on risks.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on SEC's datasheet for the IRF640A MOSFET.