18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The IRF640 is an N-channel power MOSFET manufactured by various companies, including Vishay and Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (at V_GS = 10V, I_D = 9A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF640 is a high-voltage, high-current MOSFET designed for switching applications in power supplies, motor control, and amplifiers. It features low on-resistance and fast switching speeds.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.18Ω)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package (Standard through-hole mounting)**  

This information is based on manufacturer datasheets and technical documentation.