N-channel 200V - 0.15Ω - 15A - TO-220 MESH OVERLAY? Power MOSFET The IRF640#T is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF640#T  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (at V_GS = 10V, I_D = 9.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRF640#T is a high-voltage, N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and amplifiers.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better noise immunity.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance.  

This information is based solely on manufacturer datasheets and technical documentation.