250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF634S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF634S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® series, known for efficient power handling and low on-resistance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance** – Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated** – Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220AB Package** – Provides efficient thermal dissipation.  
- **HEXFET® Technology** – Ensures high efficiency and reliability.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.