250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF634N is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRF634N is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for fast switching and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Input Impedance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package (Through-Hole Mounting)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.