250V N-Channel MOSFET The IRF634B is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF634B is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness in inductive load switching  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.