Advanced Power MOSFET The IRF634A is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 750pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The IRF634A is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive power requirements and high-efficiency performance in power supplies, motor control, and other switching circuits.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V VDSS  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced ruggedness  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in inductive load conditions  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  
This information is based on FAIRCHILD's datasheet for the IRF634A MOSFET.