N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF632 is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF632 is a high-voltage N-Channel MOSFET optimized for fast switching performance in power applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Designed for efficient switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures reliable performance in high-frequency circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF632 is a power MOSFET transistor manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package Type:** TO-220AB (through-hole mounting)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for switching and amplification in power electronics.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better noise immunity.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF632 MOSFET.