N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF631 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Description:**  
The IRF631 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- Rugged and reliable design  
- Avalanche energy specified  
- TO-220AB package for easy mounting  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V