200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NSTRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF630NSTRR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 74W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 47ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)** (Surface Mount)  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in high-energy environments.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other switching applications.  

(Note: All values are based on manufacturer datasheets and may vary under different operating conditions.)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NSTRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **High Switching Speed:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.