200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF630NSTRLPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF630NSTRLPBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V V_DS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF630NSTRLPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 190pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRF630NSTRLPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.4Ω max at 10V V_GS)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package