200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NSTRL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 4.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
- The IRF630NSTRL is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.