200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NSPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF630NSPBF  

### **Description:**  
The IRF630NSPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for high-voltage power circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Audio amplifiers  
- General-purpose power switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF630NSPBF.