200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NS is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF630NS is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 4.7A)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to false triggering.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK):** Surface-mount package with good thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Type:** N-Channel  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- High ruggedness and reliability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF630NS.