N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30-Ohm The IRF630N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The IRF630N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supplies, motor control, and high-efficiency switching circuits.  
- The device features low gate charge and fast switching speeds.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.